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BZX84C22LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C22LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C22LT1G价格参考。ON SemiconductorBZX84C22LT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 22V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BZX84C22LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C22LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BZX84C22LT1G是一款单个齐纳二极管,具有22V的齐纳电压。它广泛应用于需要稳定电压或过压保护的电路中,以下是其主要应用场景: 1. 稳压电路 BZX84C22LT1G常用于稳压电路中,确保输出电压稳定在22V左右。通过与电阻串联,它可以将输入电压转换为稳定的22V输出,适用于对电压要求较高的场合,如传感器供电、模拟信号处理电路等。 2. 过压保护 在电源输入端或敏感电子元件前,使用该齐纳二极管可以提供过压保护。当输入电压超过22V时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,防止后级电路因过压而损坏。这种应用常见于通信设备、工业控制系统的电源输入端。 3. 参考电压源 齐纳二极管可以用作精密的参考电压源。由于其齐纳电压相对稳定,BZX84C22LT1G可以在需要精确电压参考的电路中发挥作用,例如在ADC(模数转换器)或DAC(数模转换器)的基准电压生成电路中。 4. 钳位电路 在信号处理电路中,BZX84C22LT1G可以作为钳位二极管,限制信号的峰值电压。例如,在音频放大器或其他模拟信号处理电路中,它可以防止信号幅度过大而导致失真或损坏后续元件。 5. 浪涌抑制 该二极管还可以用于抑制瞬态电压浪涌。在电力线或信号线上可能出现的短时间高压脉冲,可能会对电路造成损害。通过合理设计,BZX84C22LT1G可以在这些情况下快速响应,吸收浪涌能量,保护电路。 6. 电池充电保护 在一些便携式设备中,BZX84C22LT1G可用于电池充电保护电路。当电池电压接近满充状态时,齐纳二极管可以帮助维持充电电压在一个安全范围内,防止过充现象发生。 总之,BZX84C22LT1G凭借其稳定的22V齐纳电压和较小的封装尺寸,适合多种应用场景,尤其在需要电压稳定、过压保护和参考电压的电路中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 22V 225MW SOT23-3稳压二极管 22V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C22LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C22LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 15.4V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BZX84C22LT1G-ND |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 55 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 22V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 18.2 mV/K |
系列 | BZX84C22L |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 55 欧姆 |
齐纳电压 | 22 V |
齐纳电流 | 10 mA |