ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZX84C15S-7-F
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C15S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C15S-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C15S-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 2 Independent 15V 200mW ±6% SOT-363。您可以下载BZX84C15S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C15S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C15S-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管阵列,广泛应用于需要精确电压参考和瞬态电压抑制的电路中。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:该器件可以用于提供稳定的参考电压,适用于电源电路中的电压稳压模块。它能够在负载变化或输入电压波动时保持输出电压的稳定,确保后续电路正常工作。 2. 过压保护:BZX84C15S-7-F 可以作为过压保护元件,防止电路因瞬间高电压而损坏。例如,在传感器接口、通信端口等易受外界干扰的地方,它可以快速响应并钳位过高电压,保护敏感的下游电路。 3. 信号调理:在模拟信号处理电路中,齐纳二极管阵列可用于信号电平调整。通过设置合适的齐纳电压,可以将输入信号限制在安全范围内,避免信号失真或饱和。 4. 电源监控:该器件可以用于监控电源电压是否超出预定范围。当检测到异常电压时,它可以触发报警或采取其他保护措施,如关闭系统或重启设备。 5. ESD 保护:静电放电(ESD)是电子设备常见的威胁之一。BZX84C15S-7-F 具有良好的瞬态响应特性,能够有效吸收静电能量,减少 ESD 对电路的影响,提高系统的可靠性。 6. 多通道应用:由于其为阵列形式,可以在单一封装内集成多个齐纳二极管,适用于多通道电压参考或保护需求的应用场景,简化设计并节省空间。 总之,BZX84C15S-7-F 齐纳二极管阵列凭借其紧凑的封装、精确的电压特性和快速响应能力,在各种需要电压调节和保护的电路中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 15V SOT363稳压二极管 15V 200mW |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C15S-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C15S-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 10.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BZX84C15S-FDIDKR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 15V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 11.1 mV/C |
系列 | BZX84C15 |
配置 | 2 个独立式 |
阻抗(最大值)(Zzt) | 30 欧姆 |
齐纳电压 | 15 V |
齐纳电流 | 5 mA |