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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C12S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C12S-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C12S-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 2 Independent 12V 200mW ±6% SOT-363。您可以下载BZX84C12S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C12S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BZX84C12S-7-F是一款齐纳二极管阵列,主要用于电压调节、过压保护和信号电平转换等应用场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电压调节 BZX84C12S-7-F可以作为稳压元件,用于电路中的电压调节。其齐纳电压为12V,能够在电源电压波动时保持输出电压的稳定。例如,在低功耗设备中,它可以用作参考电压源,确保电路在不同工作条件下保持稳定的电压输出。 2. 过压保护 在电源输入端或敏感电路中,BZX84C12S-7-F可以提供过压保护功能。当输入电压超过设定的齐纳电压(12V)时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受过压损坏。这种应用常见于传感器接口、通信线路以及电源管理模块中。 3. 信号电平转换 在数字电路中,有时需要将信号电平从一个电压范围转换到另一个电压范围。BZX84C12S-7-F可以通过钳位作用,将信号限制在特定的电压范围内,防止信号超出安全范围。例如,在RS-232通信接口中,它可以用于将TTL电平转换为RS-232电平,或者反之。 4. ESD保护 静电放电(ESD)是电子设备常见的威胁之一。BZX84C12S-7-F可以在瞬态高压情况下快速响应,吸收静电能量,防止敏感元件受到损坏。这种保护机制特别适用于手持设备、消费电子产品和工业控制系统的输入/输出端口。 5. 温度补偿 由于齐纳二极管的齐纳电压会随温度变化而略有漂移,BZX84C12S-7-F具有较好的温度稳定性,适合用于对温度敏感的应用场景,如精密测量仪器、传感器校准电路等。 6. 音频电路中的应用 在音频放大器中,BZX84C12S-7-F可以用作偏置电压的稳定器,确保放大器的工作点不会因电源电压波动而改变,从而提高音质和稳定性。 总之,BZX84C12S-7-F凭借其稳定的齐纳电压特性,广泛应用于各种需要电压调节、过压保护和信号处理的场合,尤其适合对可靠性和稳定性要求较高的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 12V SOT363稳压二极管 12V 200mW |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C12S-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C12S-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BZX84C12S-FDIDKR |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 8 mV/C |
系列 | BZX84C12 |
配置 | Dual Anti Parallel |
阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
齐纳电压 | 12 V |
齐纳电流 | 5 mA |