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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C11LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C11LT1G价格参考¥0.09-¥0.09。ON SemiconductorBZX84C11LT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 11V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BZX84C11LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C11LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C11LT1G是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款单齐纳二极管,具有广泛的应用场景。其主要功能是在电路中提供稳压和过压保护。 应用场景: 1. 电源稳压: BZX84C11LT1G可以用于低压稳压电路中,确保输出电压稳定。例如,在一些低功耗的嵌入式系统或传感器模块中,该齐纳二极管可以将输入电压稳定在11V左右,防止因电源波动导致的系统不稳定。 2. 过压保护: 在电源输入端或敏感电子元件前使用BZX84C11LT1G,可以在电压超过设定值时迅速导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受过压损坏。这种应用常见于汽车电子、工业控制设备等对电压敏感的场合。 3. 参考电压源: 由于齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压特性,BZX84C11LT1G可以用作精密参考电压源。例如,在模拟电路设计中,它可以用作基准电压,为ADC(模数转换器)或DAC(数模转换器)提供稳定的参考电压。 4. 信号箝位: 在信号处理电路中,BZX84C11LT1G可以用于箝位信号,限制信号的最大幅度。这对于保护后级放大器或其他敏感元件非常重要,尤其是在高速通信接口或音频电路中。 5. 温度补偿电路: 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有不同,因此BZX84C11LT1G可以与其他温度敏感元件一起使用,构成温度补偿电路,确保整个系统的性能在不同温度环境下保持一致。 6. LED驱动电路: 在某些简单的LED驱动电路中,BZX84C11LT1G可以用作限流电阻的替代方案,通过稳压特性来保证LED的工作电流稳定,避免因电流过大导致LED烧毁。 总之,BZX84C11LT1G凭借其可靠的稳压和保护特性,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要稳定电压和过压保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3稳压二极管 11V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C11LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C11LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BZX84C11LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 7.2 mV/K |
系列 | BZX84C11L |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
齐纳电压 | 11 V |
齐纳电流 | 10 mA |