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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C10TS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C10TS-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C10TS-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 3 Independent 10V 200mW ±6% SOT-363。您可以下载BZX84C10TS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C10TS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C10TS-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的二极管 - 齐纳 - 阵列型号。该器件具有多个齐纳二极管集成在一个封装内,广泛应用于多种电路保护和电压调节场景。 应用场景: 1. 电源稳压: BZX84C10TS-7-F 可用于电源电路中的稳压部分,确保输出电压稳定。其齐纳二极管阵列特性使得它能够在多路输出或需要多个参考电压的应用中提供精确的电压调节。例如,在开关电源、线性稳压器等场合,它可以作为参考电压源,确保系统在不同负载条件下保持稳定的输出电压。 2. 过压保护(OVP): 在敏感电子设备中,防止输入电压过高是非常重要的。BZX84C10TS-7-F 可以在电源输入端或信号线上起到过压保护的作用。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受损坏。这种应用常见于通信设备、工业控制、消费电子产品等。 3. 信号箝位: 在高速信号传输线路中,信号电平可能会超出预期范围,导致数据传输错误或损坏接收端器件。BZX84C10TS-7-F 可以用于信号箝位,限制信号的最大幅度,确保信号电平在安全范围内。这在模拟信号处理、传感器接口、音频电路等领域非常有用。 4. 温度补偿: 由于齐纳二极管的温度特性,BZX84C10TS-7-F 可以用于温度补偿电路中。通过选择适当的齐纳电压值和配置方式,可以在一定温度范围内保持电压的稳定性,适用于精密测量仪器、温度控制系统等对温度敏感的应用。 5. 多路电压参考: 该器件的阵列结构允许在一个封装内实现多个独立的齐纳二极管,因此可以为多个电路模块提供不同的参考电压。例如,在多通道ADC/DAC、多路电源管理电路中,它可以简化设计并减少元件数量。 总结: BZX84C10TS-7-F 的主要应用场景包括电源稳压、过压保护、信号箝位、温度补偿以及多路电压参考。其紧凑的封装和高性能使得它在各种电子设备中都能发挥重要作用,特别是在需要高可靠性和精确电压控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER TRIPLE 10V SOT363稳压二极管 200MW 10V |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C10TS-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C10TS-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 6.25 mV/C |
系列 | BZX84C10 |
配置 | Triple Parallel |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
齐纳电压 | 10 V |