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  • 型号: BZX84-B13,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84-B13,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84-B13,215价格参考。NXP SemiconductorsBZX84-B13,215封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 13V 250mW ±2% Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载BZX84-B13,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84-B13,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX84-B13,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号的主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - BZX84-B13,215 的齐纳击穿电压为 13V(典型值),适用于低功率电路中的电压稳压。它可以将输出电压稳定在特定值,确保后续电路的正常工作。
   - 常用于电源电路中,为敏感电子元件提供稳定的电压。

 2. 过压保护
   - 在电路设计中,该齐纳二极管可用于防止输入电压过高对后级电路造成损坏。例如,在传感器接口或信号传输线路中,它可以限制瞬态高压。
   - 其额定功率为 0.5W,适合小功率应用场合。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中,BZX84-B13,215 可用于将输入信号的电平钳位到指定范围,避免信号幅度过高或过低。
   - 例如,在音频电路或数据通信线路中,可以用来调整信号幅度。

 4. 参考电压源
   - 齐纳二极管可以作为简单的参考电压源,用于模拟电路或比较器电路中。BZX84-B13,215 提供了相对稳定的 13V 参考电压,适合精度要求不高的应用场景。

 5. 浪涌抑制
   - 该型号能够吸收短时间内的浪涌电流,保护电路免受雷击、开关噪声或其他瞬态事件的影响。
   - 例如,在汽车电子或工业控制设备中,可用于抑制感应电动势。

 6. 电池充电保护
   - 在小型电池充电电路中,BZX84-B13,215 可用作参考电压点,确保电池不会被过度充电。
   - 它可以与运算放大器或其他控制电路配合使用,实现精确的充电管理。

 总结
BZX84-B13,215 齐纳二极管因其紧凑的封装(如 SOD-323 或 DO-35)和稳定的性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。它特别适合需要低功率、低成本且可靠电压调节或保护的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 13V 250MW TO236AB稳压二极管 250mW 13V

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84-B13,215-

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产品型号

BZX84-B13,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 8V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6298-6

功率-最大值

250mW

功率耗散

250 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

TO-236AB

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

30 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

13V

电压容差

2 %

电压温度系数

9.4 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

30 欧姆

零件号别名

BZX84-B13 T/R

齐纳电压

13 V

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