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  • 型号: BZX585-C9V1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX585-C9V1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX585-C9V1,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX585-C9V1,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 300mW ±5% Surface Mount SOD-523。您可以下载BZX585-C9V1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX585-C9V1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX585-C9V1,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,其主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   BZX585-C9V1,115 的典型应用是作为电压稳压元件。它可以在电路中提供稳定的参考电压,确保输出电压在一定范围内保持恒定。例如,在电源电路中,它可以用于将较高的输入电压转换为稳定的低电压输出,适用于需要精确电压控制的场合,如传感器供电、模拟电路中的基准电压源等。

 2. 过压保护
   齐纳二极管的一个重要功能是过压保护。当电路中的电压超过设定值时,BZX585-C9V1,115 会导通并分流多余的电流,防止后级电路因过压而损坏。这在电源管理、通信设备、工业控制系统等领域非常常见,尤其是在需要保护敏感电子元件免受瞬态电压冲击的情况下。

 3. 信号电平钳位
   在信号处理电路中,BZX585-C9V1,115 可以用于钳位信号电平。通过设置合适的齐纳电压,它可以限制信号的最大幅度,防止信号超出允许范围,从而避免信号失真或损坏后续电路。这种应用常见于音频放大器、数据传输线路等场景。

 4. 温度补偿
   由于齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化,某些精密电路中可以利用这一特性进行温度补偿。通过合理设计,BZX585-C9V1,115 可以与其他温度敏感元件配合使用,抵消温度变化对电路性能的影响,确保电路在不同温度条件下仍能稳定工作。

 5. 浪涌吸收
   在电力电子设备中,BZX585-C9V1,115 还可以用于吸收瞬态浪涌电压。例如,在开关电源、电机驱动器等设备中,可能会出现由开关动作引起的电压尖峰。齐纳二极管可以快速响应这些瞬态电压,将其钳位在安全范围内,保护其他电路元件不受损害。

总之,BZX585-C9V1,115 作为一种高性能的齐纳二极管,广泛应用于各种需要电压稳压、过压保护、信号钳位和温度补偿的电路中,特别适合对精度和可靠性要求较高的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX585-C9V1,115-

数据手册

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产品型号

BZX585-C9V1,115

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 6V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-523

其它名称

934055850115
BZX585-C9V1 T/R
BZX585-C9V1 T/R-ND

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SC-79,SOD-523

封装/箱体

SC-79

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

10 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

电压容差

5 %

电压温度系数

5.2 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

零件号别名

BZX585-C9V1 T/R

齐纳电压

9.105 V

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