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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX585-B36,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX585-B36,115价格参考¥0.15-¥0.15。NXP SemiconductorsBZX585-B36,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 300mW ±2% Surface Mount SOD-523。您可以下载BZX585-B36,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX585-B36,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX585-B36,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其典型应用场景如下: 1. 电压稳压 - BZX585-B36,115 的齐纳电压为 36V(±5%),非常适合用于电压稳压电路中。它能够将输出电压稳定在指定的齐纳电压值附近,适用于低功率电路中的电源稳压。 - 示例:在传感器供电电路中,确保输入电压波动时,输出电压保持稳定。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以用来限制电路中的瞬态过电压,防止下游器件因过高电压而损坏。 - 示例:在信号传输线路中,保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)或浪涌电压的影响。 3. 参考电压源 - 齐纳二极管可以用作精密参考电压源,尤其是在需要简单、低成本的电压基准电路中。 - 示例:与运放结合使用,构建一个稳定的参考电压输出电路。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中,BZX585-B36,115 可以用于箝位信号,防止信号幅度过大超出安全范围。 - 示例:在音频放大器中,防止输出信号超过扬声器的最大承受电压。 5. 电源监控 - 在电源监控电路中,齐纳二极管可以触发报警或关断机制,当电源电压低于或高于设定值时提供反馈。 - 示例:在电池管理系统中,检测电池电压是否达到临界值。 参数特点: - 额定功率:0.35W(最大) - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 封装形式:DO-35 小型玻璃封装,适合紧凑型设计 注意事项: - 使用时需注意散热设计,避免长时间工作在接近最大功率的状态下。 - 确保电路中的电流限制合适,以免齐纳二极管因过流而损坏。 综上,BZX585-B36,115 主要应用于低功率稳压、过压保护、参考电压源和信号箝位等场景,是一款性能可靠且成本低廉的齐纳二极管。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 36V 300MW SOD523稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX585-B36,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX585-B36,115 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 25.2V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-523 |
其它名称 | 934057412115 |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
封装/箱体 | SC-79 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 33 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
零件号别名 | BZX585-B36 T/R |
齐纳电压 | 36 V |