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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX384-B12,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX384-B12,115价格参考¥0.09-¥0.15。NXP SemiconductorsBZX384-B12,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 12V 300mW ±2% Surface Mount SOD-323。您可以下载BZX384-B12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX384-B12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX384-B12,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - BZX384-B12,115 的齐纳击穿电压为 12V(标称值),适合用于需要稳定电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以作为参考电压源,确保负载电压保持恒定,即使输入电压或负载电流发生变化。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压影响。当电路中的电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余的电流,从而保护后级电路。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,BZX384-B12,115 可以用来限制信号幅值。例如,在音频或射频电路中,它可以帮助将信号电平限制在安全范围内,避免损坏后续放大器或其他组件。 4. 电源基准 - 由于其稳定的击穿电压特性,这款齐纳二极管可以用作精密电压基准源。在一些模拟电路设计中,它为比较器、运算放大器等提供精确的参考电压。 5. 浪涌抑制 - 在工业控制或汽车电子系统中,BZX384-B12,115 可以用来吸收瞬态电压浪涌,保护关键电路不受雷击、开关噪声或其他干扰的影响。 6. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的温度特性可以通过与其他元件(如普通二极管或电阻)配合使用,实现温度补偿功能。这在精密测量和控制电路中尤为重要。 特性总结: - 额定功率:0.35W(典型值) - 反向漏电流:低至几微安(具体取决于工作条件) - 封装形式:SOD-323 小型封装,适合高密度电路板设计 - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适用于严苛环境 综上所述,BZX384-B12,115 广泛应用于消费电子、工业设备、通信系统和汽车电子等领域,特别是在需要电压调节、保护和参考的应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 12V 300MW SOD323稳压二极管 300MW 12V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX384-B12,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX384-B12,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-323 |
其它名称 | 568-3810-1 |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
封装/箱体 | SC-76 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 12V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 8.4 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |
零件号别名 | BZX384-B12 T/R |
齐纳电压 | 12 V |