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  • 型号: BZV85-C10,113
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C10,113由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C10,113价格参考¥0.21-¥0.21。NXP SemiconductorsBZV85-C10,113封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-41。您可以下载BZV85-C10,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV85-C10,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BZV85-C10,113 是一款单齐纳二极管,具有多种应用场景,特别是在需要精确电压调节和保护电路免受过压损害的情况下。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电压稳压
BZV85-C10,113 齐纳二极管常用于电压稳压电路中。它能够在反向击穿区工作,提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压保持在设定值,即使输入电压波动或负载变化。这种特性使得它非常适合用于低压差线性稳压器(LDO)的参考电压源。

 2. 过压保护
该二极管可以作为过压保护元件,防止电路中的瞬态高压对敏感元件造成损坏。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并分流多余电流,从而保护下游电路。常见的应用场景包括电源输入端、传感器接口等。

 3. 信号电平转换
在某些数字电路中,BZV85-C10,113 可以用于将信号电平从一个电压范围转换到另一个电压范围。例如,在通信接口中,它可以帮助将高电平信号限制在安全范围内,避免损坏接收设备。

 4. 温度补偿
由于齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化而略有不同,BZV85-C10,113 可以与其他温度敏感元件配合使用,实现温度补偿功能。这在精密测量和控制电路中尤为重要,能够提高系统的稳定性和准确性。

 5. 浪涌吸收
在电力电子设备中,BZV85-C10,113 可以用于吸收由开关操作或其他原因引起的瞬态浪涌电压。它能够快速响应并钳位电压,防止浪涌对电路造成破坏。这种应用常见于电机驱动、逆变器等设备中。

 6. 基准电压源
BZV85-C10,113 还可以用作精密基准电压源,为模拟电路提供稳定的电压参考。例如,在模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)中,它可以帮助确保转换精度。

总之,BZV85-C10,113 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和快速响应能力,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要精确电压控制和过压保护的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 10V 1.3W DO41稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C10,113-

数据手册

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产品型号

BZV85-C10,113

PCN其它

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不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 50mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 7V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

DO-41

其它名称

933500650113
BZV85-C10 T/R
BZV85-C10 T/R-ND

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1.3 W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

封装/箱体

DO-41

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

5000

最大反向漏泄电流

200 nA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

8 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

5,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

电压容差

5 %

电压温度系数

6.6 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

8 欧姆

零件号别名

BZV85-C10 T/R

齐纳电压

10 V

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