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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C10,113由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C10,113价格参考¥0.21-¥0.21。NXP SemiconductorsBZV85-C10,113封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-41。您可以下载BZV85-C10,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV85-C10,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZV85-C10,113 是一款单齐纳二极管,具有多种应用场景,特别是在需要精确电压调节和保护电路免受过压损害的情况下。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电压稳压 BZV85-C10,113 齐纳二极管常用于电压稳压电路中。它能够在反向击穿区工作,提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压保持在设定值,即使输入电压波动或负载变化。这种特性使得它非常适合用于低压差线性稳压器(LDO)的参考电压源。 2. 过压保护 该二极管可以作为过压保护元件,防止电路中的瞬态高压对敏感元件造成损坏。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并分流多余电流,从而保护下游电路。常见的应用场景包括电源输入端、传感器接口等。 3. 信号电平转换 在某些数字电路中,BZV85-C10,113 可以用于将信号电平从一个电压范围转换到另一个电压范围。例如,在通信接口中,它可以帮助将高电平信号限制在安全范围内,避免损坏接收设备。 4. 温度补偿 由于齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化而略有不同,BZV85-C10,113 可以与其他温度敏感元件配合使用,实现温度补偿功能。这在精密测量和控制电路中尤为重要,能够提高系统的稳定性和准确性。 5. 浪涌吸收 在电力电子设备中,BZV85-C10,113 可以用于吸收由开关操作或其他原因引起的瞬态浪涌电压。它能够快速响应并钳位电压,防止浪涌对电路造成破坏。这种应用常见于电机驱动、逆变器等设备中。 6. 基准电压源 BZV85-C10,113 还可以用作精密基准电压源,为模拟电路提供稳定的电压参考。例如,在模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)中,它可以帮助确保转换精度。 总之,BZV85-C10,113 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性和快速响应能力,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要精确电压控制和过压保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 10V 1.3W DO41稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C10,113- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV85-C10,113 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-41 |
其它名称 | 933500650113 |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1.3 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
封装/箱体 | DO-41 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 5000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 5,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 6.6 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 8 欧姆 |
零件号别名 | BZV85-C10 T/R |
齐纳电压 | 10 V |