ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > BZV55-C9V1,135
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C9V1,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C9V1,135价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C9V1,135封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C9V1,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C9V1,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZV55-C9V1,135 是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - BZV55-C9V1,135 的典型应用是为电路提供稳定的参考电压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定性,适用于电源电路中的电压调节。 - 典型场景:为低功耗设备(如传感器、微控制器等)提供稳定的供电电压。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以用于防止电路因过高的电压而损坏。当输入电压超过齐纳电压(9.1V)时,二极管会导通并分流多余电流,从而保护下游电路。 - 典型场景:保护敏感电子元件(如运算放大器、ADC 输入端)免受瞬态高压的影响。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,BZV55-C9V1,135 可用于将输入信号限制在特定的电压范围内,以确保信号符合后续电路的要求。 - 典型场景:音频信号处理、数据通信接口中的信号电平调整。 4. 基准电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性,该二极管可用作精密基准电压源,为模拟电路或数字电路提供参考电压。 - 典型场景:用于 ADC/DAC 的基准电压生成、比较器电路中的参考电平设置。 5. 浪涌抑制 - 在电力电子设备中,BZV55-C9V1,135 可用于吸收瞬态电压浪涌,保护电路免受雷击或其他电磁干扰的影响。 - 典型场景:家用电器、工业控制设备中的浪涌保护电路。 参数特点: - 齐纳电压:9.1V(±5% 精度) - 最大功率耗散:500mW - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C - 封装形式:DO-35(适合紧凑型设计) 总结: BZV55-C9V1,135 齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压、过压保护和信号处理的场景,尤其适合对成本和性能有平衡需求的设计项目。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C9V1,135- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-C9V1,135 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 933699510135 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 500 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 5.5 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
零件号别名 | /T3 BZV55-C9V1 |
齐纳电压 | 9.05 V |