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  • 型号: BZV55-C9V1,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C9V1,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C9V1,135价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C9V1,135封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C9V1,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C9V1,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BZV55-C9V1,135 是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景包括:

 1. 电压稳压
   - BZV55-C9V1,135 的典型应用是为电路提供稳定的参考电压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定性,适用于电源电路中的电压调节。
   - 典型场景:为低功耗设备(如传感器、微控制器等)提供稳定的供电电压。

 2. 过压保护
   - 该齐纳二极管可以用于防止电路因过高的电压而损坏。当输入电压超过齐纳电压(9.1V)时,二极管会导通并分流多余电流,从而保护下游电路。
   - 典型场景:保护敏感电子元件(如运算放大器、ADC 输入端)免受瞬态高压的影响。

 3. 信号电平转换
   - 在信号处理电路中,BZV55-C9V1,135 可用于将输入信号限制在特定的电压范围内,以确保信号符合后续电路的要求。
   - 典型场景:音频信号处理、数据通信接口中的信号电平调整。

 4. 基准电压源
   - 由于其稳定的齐纳电压特性,该二极管可用作精密基准电压源,为模拟电路或数字电路提供参考电压。
   - 典型场景:用于 ADC/DAC 的基准电压生成、比较器电路中的参考电平设置。

 5. 浪涌抑制
   - 在电力电子设备中,BZV55-C9V1,135 可用于吸收瞬态电压浪涌,保护电路免受雷击或其他电磁干扰的影响。
   - 典型场景:家用电器、工业控制设备中的浪涌保护电路。

 参数特点:
- 齐纳电压:9.1V(±5% 精度)
- 最大功率耗散:500mW
- 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
- 封装形式:DO-35(适合紧凑型设计)

 总结:
BZV55-C9V1,135 齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压、过压保护和信号处理的场景,尤其适合对成本和性能有平衡需求的设计项目。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 9.1V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C9V1,135-

数据手册

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产品型号

BZV55-C9V1,135

PCN其它

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 6V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

LLDS; MiniMelf

其它名称

933699510135
BZV55-C9V1 /T3
BZV55-C9V1 /T3-ND

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-80C

封装/箱体

SOD-80

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

10000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

15 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

电压容差

5 %

电压温度系数

5.5 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

15 欧姆

零件号别名

/T3 BZV55-C9V1

齐纳电压

9.05 V

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