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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C9V1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C9V1,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C9V1,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C9V1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C9V1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BZV55-C9V1,115是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - BZV55-C9V1,115的典型应用是为电路提供稳定的参考电压。它的齐纳电压为9.1V(±5%精度),适合用于低功率电路中的电压调节。 - 在电源电路中,可以用来稳定输出电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受过电压的影响。例如,在信号输入端或电源输入端,当电压超过9.1V时,齐纳二极管会导通并钳位电压,防止后级电路受损。 - 常见于传感器、通信接口(如RS-232、UART)等需要电压保护的场景。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用于限制信号的幅值。例如,将高电平信号钳位到9.1V以下,以适应后续电路的输入要求。 - 这种应用常见于模拟信号调理、音频电路和数据传输线路中。 4. 基准电压源 - BZV55-C9V1,115可用作简单的基准电压源,为比较器、运算放大器或其他模拟电路提供稳定的参考电压。 - 在一些低成本设计中,这种齐纳二极管可以替代更复杂的稳压芯片。 5. 浪涌抑制 - 在某些工业或汽车电子系统中,齐纳二极管可以用来抑制瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机控制电路中,它可以吸收瞬间的高压脉冲,保护核心电路。 注意事项 - 使用时需注意齐纳二极管的功率限制(BZV55-C9V1,115的最大功耗为500mW),避免因电流过大导致器件损坏。 - 需要搭配适当的限流电阻,以确保齐纳二极管工作在其额定范围之内。 总之,BZV55-C9V1,115适用于各种需要简单电压稳压、保护或信号处理的场景,尤其适合对成本敏感且对性能要求适中的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C9V1,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-C9V1,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 568-6272-6 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 500 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 5.5 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-C9V1 T/R |
齐纳电压 | 9.05 V |