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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C16,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C16,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C16,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BZV55-C16,115是一种单齐纳二极管,广泛应用于各种电子设备中。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压或用于电压箝位。具体应用场景如下: 1. 电源稳压 BZV55-C16,115可以作为稳压元件,确保输出电压的稳定性。它能够在输入电压波动时,保持输出电压在一个相对恒定的水平。例如,在低压差线性稳压器(LDO)中,齐纳二极管可以与运算放大器配合使用,形成一个反馈回路,确保输出电压的精度。 2. 过压保护 在一些敏感电路中,如传感器接口、通信模块等,外部电压可能超出正常工作范围,导致电路损坏。BZV55-C16,115可以通过箝位作用,将电压限制在安全范围内,防止过压对后续电路造成损害。这种保护机制特别适用于瞬态电压抑制(TVS)应用。 3. 基准电压源 齐纳二极管常用于生成精确的基准电压,尤其是在模拟电路和混合信号电路中。BZV55-C16,115可以在需要高精度电压参考的应用中发挥作用,如A/D转换器、D/A转换器的参考电压源,或者在精密测量仪器中提供稳定的电压基准。 4. 浪涌保护 在电力系统或工业控制设备中,可能会遇到电压浪涌或瞬态尖峰。BZV55-C16,115可以快速响应这些瞬态事件,将电压箝位在安全范围内,从而保护下游的敏感元件免受损坏。这种特性使其成为浪涌保护装置中的重要组成部分。 5. 温度补偿 由于齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有改变,某些设计中会利用这一特性进行温度补偿。通过合理选择齐纳二极管的参数,可以抵消其他元件因温度变化带来的误差,从而提高整个电路的稳定性和可靠性。 6. 音频电路中的应用 在音频放大器或其他模拟信号处理电路中,BZV55-C16,115可以用作偏置电压源,确保晶体管或其他有源器件的工作点稳定,进而提升音频信号的质量和稳定性。 总之,BZV55-C16,115作为一种单齐纳二极管,凭借其稳定的击穿电压和快速响应特性,在多个领域有着广泛的应用,尤其适合需要电压稳定和过压保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 16V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C16,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-C16,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 11.2V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 568-6257-6 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 16V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 12.4 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-C16 T/R |
齐纳电压 | 16.2 V |