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  • 型号: BZV55-C16,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C16,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C16,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C16,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C16,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C16,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc.生产的BZV55-C16,115是一种单齐纳二极管,广泛应用于各种电子设备中。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压或用于电压箝位。具体应用场景如下:

 1. 电源稳压
   BZV55-C16,115可以作为稳压元件,确保输出电压的稳定性。它能够在输入电压波动时,保持输出电压在一个相对恒定的水平。例如,在低压差线性稳压器(LDO)中,齐纳二极管可以与运算放大器配合使用,形成一个反馈回路,确保输出电压的精度。

 2. 过压保护
   在一些敏感电路中,如传感器接口、通信模块等,外部电压可能超出正常工作范围,导致电路损坏。BZV55-C16,115可以通过箝位作用,将电压限制在安全范围内,防止过压对后续电路造成损害。这种保护机制特别适用于瞬态电压抑制(TVS)应用。

 3. 基准电压源
   齐纳二极管常用于生成精确的基准电压,尤其是在模拟电路和混合信号电路中。BZV55-C16,115可以在需要高精度电压参考的应用中发挥作用,如A/D转换器、D/A转换器的参考电压源,或者在精密测量仪器中提供稳定的电压基准。

 4. 浪涌保护
   在电力系统或工业控制设备中,可能会遇到电压浪涌或瞬态尖峰。BZV55-C16,115可以快速响应这些瞬态事件,将电压箝位在安全范围内,从而保护下游的敏感元件免受损坏。这种特性使其成为浪涌保护装置中的重要组成部分。

 5. 温度补偿
   由于齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有改变,某些设计中会利用这一特性进行温度补偿。通过合理选择齐纳二极管的参数,可以抵消其他元件因温度变化带来的误差,从而提高整个电路的稳定性和可靠性。

 6. 音频电路中的应用
   在音频放大器或其他模拟信号处理电路中,BZV55-C16,115可以用作偏置电压源,确保晶体管或其他有源器件的工作点稳定,进而提升音频信号的质量和稳定性。

总之,BZV55-C16,115作为一种单齐纳二极管,凭借其稳定的击穿电压和快速响应特性,在多个领域有着广泛的应用,尤其适合需要电压稳定和过压保护的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 16V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C16,115-

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产品型号

BZV55-C16,115

PCN其它

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 11.2V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

LLDS; MiniMelf

其它名称

568-6257-6

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-80C

封装/箱体

SOD-80

工作温度

-65°C ~ 200°C

工厂包装数量

2500

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 200 C

最大齐纳阻抗

40 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

16V

电压容差

5 %

电压温度系数

12.4 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

40 欧姆

零件号别名

BZV55-C16 T/R

齐纳电压

16.2 V

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