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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-C10,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-C10,135价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-C10,135封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-C10,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-C10,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV55-C10,135 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中,主要用于电压稳压、过压保护和参考电压等场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电压稳压 BZV55-C10,135 的主要功能之一是提供稳定的电压输出。它可以在电源电压波动的情况下,保持输出电压的稳定。例如,在电源电路中,当输入电压发生变化时,齐纳二极管可以通过反向击穿特性,将电压维持在设定的稳压值(如10V),从而确保后级电路的正常工作。 2. 过压保护 在许多电子设备中,过压可能会损坏敏感元件。BZV55-C10,135 可以用作过压保护器件,当输入电压超过其设定的击穿电压时,二极管会导通并将多余的电压分流到地,从而保护后续电路免受高电压冲击。这种应用常见于电源输入端或传感器接口等易受外部干扰的地方。 3. 参考电压源 齐纳二极管可以作为精密的参考电压源,尤其是在需要高精度电压基准的应用中。BZV55-C10,135 提供了相对稳定的电压输出,适用于需要精确电压控制的场合,如模拟电路中的比较器、运放电路的偏置电压等。 4. 信号箝位 在信号处理电路中,BZV55-C10,135 可以用于箝位信号电压,防止信号幅度过大导致电路损坏。通过将信号电压限制在一定的范围内,齐纳二极管可以确保信号不会超出安全范围,尤其适用于高速通信系统、音频放大器等对信号质量要求较高的场合。 5. 温度补偿电路 齐纳二极管的击穿电压会随着温度的变化而略有变化,因此在某些温度敏感的应用中,BZV55-C10,135 可以与其他温度补偿元件配合使用,确保整个电路在不同温度下的性能稳定。 总结 BZV55-C10,135 作为一款单齐纳二极管,具有广泛的应用场景,特别适合用于电压稳压、过压保护、参考电压源、信号箝位以及温度补偿电路中。它的可靠性和稳定性使其成为许多电子设计中的重要元件,特别是在需要精确电压控制和保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 10V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-C10,135- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-C10,135 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 933699520135 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 6.4 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
零件号别名 | /T3 BZV55-C10 |
齐纳电压 | 10 V |