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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B7V5,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B7V5,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B7V5,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 7.5V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-B7V5,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B7V5,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZV55-B7V5,115 是一款单齐纳二极管,主要用于电压稳压和过压保护等应用场景。以下是其主要应用领域: 1. 电压稳压 BZV55-B7V5,115 齐纳二极管的主要功能之一是提供稳定的参考电压。它可以在电路中用作电压基准源,确保输出电压在一定范围内保持恒定。例如,在电源电路中,它可以用于稳定输出电压,防止电压波动对后续电路造成影响。 2. 过压保护 该型号的齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压损害。当电路中的电压超过设定值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地线或其他安全路径,从而保护电路中的其他元件不受损坏。这种特性使其广泛应用于各种电源管理电路、传感器接口以及通信设备中。 3. 信号电平转换 在一些需要进行电平转换的场合,BZV55-B7V5,115 可以用来将输入信号的电压电平转换为所需的输出电平。例如,在数字电路与模拟电路之间的接口设计中,齐纳二极管可以起到电压钳位的作用,确保信号在合适的电平范围内工作。 4. 浪涌抑制 齐纳二极管还可以用于抑制瞬态电压浪涌。在电力系统或工业控制设备中,可能会出现短暂的高电压浪涌,这些浪涌可能会对电路造成严重损害。通过使用 BZV55-B7V5,115,可以在浪涌发生时迅速将电压钳位到安全水平,保护电路中的关键元件。 5. 温度补偿 在某些精密测量或控制系统中,温度变化可能会影响电路的性能。BZV55-B7V5,115 的齐纳电压具有一定的温度系数,因此可以通过适当的电路设计,利用其温度特性来进行温度补偿,确保系统的稳定性。 总结 BZV55-B7V5,115 齐纳二极管适用于多种应用场景,特别是在需要电压稳压、过压保护、信号电平转换、浪涌抑制和温度补偿的电路中表现出色。其可靠性和稳定性使其成为许多电子产品设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 7.5V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B7V5,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-B7V5,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 5V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 568-6252-2 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 1 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 7.5V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 4 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-B7V5 T/R |
齐纳电压 | 7.5 V |
齐纳电流 | 250 mA |