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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B56,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B56,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B56,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 56V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-B56,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B56,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV55-B56,115 是一种齐纳二极管(Zener Diode),属于 BZV55 系列。齐纳二极管的主要特性是在反向击穿电压下能够稳定地工作,提供一个稳定的参考电压。这种二极管广泛应用于各种电子电路中,特别是在需要电压稳压、过压保护和信号电平转换的场合。 应用场景 1. 电压稳压: BZV55-B56,115 可以用于电源电路中,提供稳定的输出电压。它可以在负载变化或输入电压波动时保持输出电压的稳定性。例如,在一些低压电源电路中,它可以作为参考电压源,确保其他电路元件在合适的电压范围内工作。 2. 过压保护: 在许多电路中,特别是敏感的模拟电路或数字电路中,过高的电压可能会损坏元器件。BZV55-B56,115 可以用于过压保护电路中,当输入电压超过其击穿电压时,它会导通并将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路免受高电压冲击。 3. 信号电平转换: 在通信和控制电路中,有时需要将信号电平从一个范围转换到另一个范围。BZV55-B56,115 可以用于实现这种电平转换,例如将 TTL 电平信号转换为 CMOS 电平信号,或者反之。 4. 温度补偿: 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有不同。BZV55-B56,115 可以与其他温度敏感元件(如热敏电阻)结合使用,进行温度补偿,确保电路在不同温度下的性能一致性。 5. 电源监控: 在一些电源管理系统中,BZV55-B56,115 可以用于监测电源电压是否低于或高于设定值,并触发相应的保护机制,如关断电路或发出警报。 6. 浪涌抑制: 在电力线或通信线路上,可能会出现瞬态高压(如雷击引起的浪涌)。BZV55-B56,115 可以用于吸收这些瞬态高压,保护后端设备不受损害。 总之,BZV55-B56,115 作为一种齐纳二极管,凭借其稳定的击穿电压特性,在多种应用场景中发挥着重要作用,尤其是在需要电压稳压和过压保护的电路设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 56V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B56,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-B56,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 39.2V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 933931870115 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 200 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 56V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 52 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 200 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-B56 T/R |
齐纳电压 | 56 V |