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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B30,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B30,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B30,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 30V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-B30,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B30,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZV55-B30,115 是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电路保护和电压调节场景中。以下是其主要应用场景: 1. 电压稳压 BZV55-B30,115 齐纳二极管的主要功能之一是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用于将输出电压稳定在特定的电平,确保后续电路不受电源波动的影响。例如,在电源管理模块中,它可以与电阻配合使用,形成一个简单的稳压电路。 2. 过压保护 该齐纳二极管可以用于防止电路中的瞬态过压现象。当输入电压超过设定的齐纳电压时,二极管会导通并分流多余的电流,从而保护下游敏感元件免受损坏。这种应用常见于传感器、通信接口等需要高可靠性的场合。 3. 信号箝位 在模拟信号处理电路中,BZV55-B30,115 可以用于箝位信号,限制信号的最大或最小幅度。通过将齐纳二极管连接到信号路径上,可以确保信号不会超出预定范围,避免信号失真或损坏相关组件。 4. 电源监控 齐纳二极管可以用于监测电源电压是否处于正常范围内。当电源电压低于或高于设定值时,齐纳二极管的状态会发生变化,触发相应的保护机制或报警信号。这在嵌入式系统和工业控制设备中尤为重要。 5. 温度补偿 某些电路设计中,齐纳二极管可以与其他元件(如热敏电阻)结合使用,以实现温度补偿功能。由于齐纳二极管的击穿电压随温度变化而略有不同,因此可以通过适当的电路设计来抵消温度对系统性能的影响。 6. 基准电压源 BZV55-B30,115 还可以用作精密的基准电压源,特别是在需要高精度电压参考的应用中。例如,在模数转换器(ADC)或数模转换器(DAC)中,齐纳二极管可以为这些器件提供稳定的参考电压,确保转换精度。 总之,BZV55-B30,115 齐纳二极管凭借其稳定的电压特性,广泛应用于电源稳压、过压保护、信号箝位、电源监控、温度补偿以及基准电压源等领域,尤其适合对电压稳定性要求较高的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 30V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B30,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZV55-B30,115 |
PCN其它 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 21V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
其它名称 | 933931800115 |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-80C |
封装/箱体 | SOD-80 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 2500 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 25.7 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
零件号别名 | BZV55-B30 T/R |
齐纳电压 | 30 V |