【未分类_BZV55-B11,115】封装/厂家_BZV55-B11,115中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BZV55-B11,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B11,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B11,115价格参考￥0.09-￥0.11。NXP SemiconductorsBZV55-B11,115封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BZV55-B11,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV55-B11,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZV55-B11,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管，属于二极管 - 齐纳 - 单类型。该型号的主要应用场景包括以下几个方面：

1. 电压稳压：BZV55-B11,115 的主要功能是提供稳定的参考电压。它适用于各种需要精确电压调节的电路中，例如电源稳压电路、基准电压源等。其齐纳击穿电压为 11V（±5%），能够确保在特定电流范围内输出稳定的电压。

2. 过压保护：该齐纳二极管可以用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响。例如，在信号输入端或电源输入端使用 BZV55-B11,115，可以在电压超过设定值时将多余的电压泄放到地，从而保护后级电路。

3. 信号电平调整：在模拟电路中，BZV55-B11,115 可用于限制信号电平，确保信号幅度不会超出预定范围。这种应用常见于音频电路、传感器接口电路等。

4. 温度补偿电路：由于齐纳二极管的特性会受到温度影响，BZV55-B11,115 可以与其他温度敏感元件配合，用于构建温度补偿电路，以提高整体电路的稳定性。

5. 浪涌抑制：在电源或信号线中可能出现瞬态电压浪涌的情况下，BZV55-B11,115 可以快速响应并吸收浪涌能量，从而保护下游设备。

6. 钳位电路：在数字电路和模拟电路中，BZV55-B11,115 常被用作钳位二极管，将信号电压限制在安全范围内，防止过高或过低的电压对电路造成损害。

总结来说，BZV55-B11,115 适用于需要稳定电压、过压保护、信号调整以及温度补偿的各种电子电路中。其紧凑的设计和可靠的性能使其成为许多工业、消费类电子产品中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 11V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B11,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BZV55-B11,115
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	100nA @ 8V
产品目录绘图
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	LLDS; MiniMelf
其它名称	568-11153-1
功率-最大值	500mW
功率耗散	500 mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±2%
封装	Reel
封装/外壳	SOD-80C
封装/箱体	SOD-80
工作温度	-65°C ~ 200°C
工厂包装数量	2500
最大反向漏泄电流	100 nA
最大工作温度	+ 200 C
最大齐纳阻抗	20 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
电压-齐纳（标称值）(Vz)	11V
电压容差	2 %
电压温度系数	7.4 mV/K
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	20 欧姆
零件号别名	BZV55-B11 T/R
齐纳电压	11 V