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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C5V1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C5V1,115价格参考¥0.09-¥0.09。NXP SemiconductorsBZT52H-C5V1,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.1V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-C5V1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C5V1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 BZT52H-C5V1,115 的二极管属于齐纳二极管(Zener Diode),其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 齐纳二极管最典型的应用是作为电压稳压器。BZT52H-C5V1,115 在反向击穿电压下能够保持稳定的电压输出,适用于需要精确电压参考的电路中。例如,在电源电路中,它可以用于稳定输出电压,确保后续电路在一定范围内不受输入电压波动的影响。 2. 过压保护 该二极管可以在电路中充当过压保护元件。当输入电压超过设定的阈值时,齐纳二极管会导通并分流多余的电流,从而保护敏感的下游电子元件免受过压损坏。这种特性常用于传感器、微控制器等对电压敏感的设备中。 3. 信号电平转换 在模拟和数字电路之间进行信号电平转换时,齐纳二极管可以起到关键作用。通过调节齐纳电压,可以将高电平信号转换为适合后续电路处理的低电平信号,或者反之亦然。BZT52H-C5V1,115 的齐纳电压为5.1V,适用于多种常见的电平转换场景。 4. 温度补偿 齐纳二极管的温度系数特性使其在某些精密电路中用于温度补偿。通过合理选择齐纳二极管的参数,可以抵消其他元件随温度变化带来的误差,确保整个电路在不同温度下的性能稳定。 5. 基准电压源 由于其稳定的反向击穿电压特性,BZT52H-C5V1,115 可以用作精密的基准电压源。在一些需要高精度电压参考的场合,如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)以及比较器等电路中,齐纳二极管提供的稳定电压可以提高系统的测量精度。 总结 BZT52H-C5V1,115 齐纳二极管广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要电压稳压、过压保护、信号电平转换、温度补偿和基准电压源的场合。其5.1V的齐纳电压和紧凑的封装形式使其成为许多设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F稳压二极管 375MW 5.1V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C5V1,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZT52H-C5V1,115 |
PCN封装 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123F |
其它名称 | 568-3779-1 |
功率-最大值 | 375mW |
功率耗散 | 830 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123F |
封装/箱体 | SOD-123F |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | - 0.75 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 60 欧姆 |
零件号别名 | BZT52H-C5V1 T/R |
齐纳电压 | 5.4 V |