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  • 型号: BZT52H-C24,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZT52H-C24,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C24,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C24,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C24,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 24V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-C24,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C24,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc.生产的BZT52H-C24,115是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这种齐纳二极管的主要应用场景包括:

1. 电压稳压:  
   BZT52H-C24,115可用于电路中提供稳定的参考电压。其齐纳击穿电压(约24V)使其适合在需要精确电压调节的场景中使用,例如为低功耗设备或敏感电路提供稳定的电源。

2. 过压保护:  
   该齐纳二极管可以保护后续电路免受过高电压的影响。例如,在电源输入端或信号线中,它可以将电压限制在安全范围内,避免损坏下游元件。

3. 信号电平调整:  
   在信号处理电路中,BZT52H-C24,115可用于钳位信号电压,确保信号幅度保持在预定范围内。这在音频、视频或其他模拟信号处理应用中非常有用。

4. 基准电压源:  
   齐纳二极管常被用作简单而可靠的基准电压源。BZT52H-C24,115可以在一些低成本设计中替代更复杂的稳压器,为比较器、放大器等提供参考电压。

5. 电源监控电路:  
   在电源监控或电池管理系统中,这款齐纳二极管可用于检测电压是否低于或高于设定阈值,并触发相应的保护机制。

6. 浪涌抑制:  
   BZT52H-C24,115能够吸收瞬时高电压脉冲,从而保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)或电感负载引起的电压尖峰影响。

7. 汽车电子:  
   在汽车环境中,该齐纳二极管可用于稳压、保护传感器接口或通信总线(如CAN/LIN)中的电压波动。

8. 消费类电子产品:  
   在家用电器、音频设备或小型电子产品中,BZT52H-C24,115可用于实现简单的电压调节和保护功能。

总之,BZT52H-C24,115凭借其24V的齐纳电压和良好的性能稳定性,适用于各种需要电压调节、保护和信号处理的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 24V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C24,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BZT52H-C24,115

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 16.8V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123F

其它名称

568-3761-6

功率-最大值

375mW

功率耗散

830 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123F

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

30 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

24V

电压容差

6 %

电压温度系数

20.2 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

30 欧姆

零件号别名

BZT52H-C24 T/R

齐纳电压

25.6 V

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