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  • 型号: BZT52H-C10,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BZT52H-C10,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C10,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C10,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C10,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 375mW ±5% 表面贴装 SOD-123F。您可以下载BZT52H-C10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C10,115-

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产品型号

BZT52H-C10,115

PCN封装

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 7V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123F

其它名称

568-3752-2
934059401115
BZT52H-C10 T/R

功率-最大值

375mW

功率耗散

830 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123F

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

200 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

10 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

电压容差

5 %

电压温度系数

6.25 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

零件号别名

BZT52H-C10 T/R

齐纳电压

10.6 V

齐纳电流

250 mA

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