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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C8V2-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C8V2-7-F价格参考。Diodes Inc.BZT52C8V2-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C8V2-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C8V2-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C8V2-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管,属于 BZT52C 系列。其典型应用场景包括: 1. 电压稳压: 该齐纳二极管的主要功能是提供稳定的参考电压。在电源电路中,它可用于将输出电压稳定在 8.2V(标称齐纳电压)。例如,在简单的线性稳压器设计中,BZT52C8V2-7-F 可与电阻和运算放大器配合使用,以实现精确的电压调节。 2. 过压保护: 在敏感电子设备的输入或输出端,BZT52C8V2-7-F 可用于防止过高电压损坏后续电路。当输入电压超过 8.2V 时,齐纳二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护负载。 3. 信号电平调整: 在模拟电路中,这款齐纳二极管可以用来钳位信号电压。例如,在音频或视频信号处理中,它可以确保信号幅度不会超出特定范围,避免失真或损坏相关组件。 4. 参考电压源: BZT52C8V2-7-F 提供的稳定电压可作为 ADC(模数转换器)或 DAC(数模转换器)的参考电压源。这种应用要求齐纳二极管具有良好的温度特性和低噪声性能,而 BZT52C 系列在这方面表现出色。 5. 电源监控电路: 在电池供电设备中,该齐纳二极管可用于检测电池电压是否低于或高于某个阈值。通过与比较器结合,可以实现电池状态监测和报警功能。 6. ESD 保护: 尽管 BZT52C8V2-7-F 的主要用途不是专门的 ESD(静电放电)保护,但在某些低灵敏度电路中,它可以辅助限制瞬态电压尖峰,从而减少 ESD 对电路的影响。 总结来说,BZT52C8V2-7-F 适合用作小型、低成本的电压稳压和保护解决方案,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。其紧凑的 SOD-323 封装形式也使其非常适合空间受限的设计场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123稳压二极管 8.2V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C8V2-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZT52C8V2-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 700nA @ 5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | BZT52C8V2-7-FDICT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 700 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 4.7 mV/C |
系列 | BZT52C8V2 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 8.2 V |
齐纳电流 | 5 mA |