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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C4V7LP-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C4V7LP-7价格参考。Diodes Inc.BZT52C4V7LP-7封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.7V 250mW ±6% Surface Mount X1-DFN1006-2。您可以下载BZT52C4V7LP-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C4V7LP-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的BZT52C4V7LP-7是一款单个齐纳二极管,其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:该型号的齐纳二极管常用于电路中提供稳定的参考电压。它能够在输入电压波动的情况下保持输出电压的稳定,适用于电源稳压、基准电压源等场合。例如,在开关电源、线性稳压器中作为反馈元件,确保输出电压的精度。 2. 过压保护:BZT52C4V7LP-7可以用于防止电路中的瞬态过电压对敏感电子元件造成损坏。当电路中的电压超过齐纳击穿电压(4.7V)时,齐纳二极管会导通并分流多余的电流,从而保护后续电路不受高电压冲击的影响。这在传感器接口、通信线路等需要保护的关键节点非常有用。 3. 信号箝位:在模拟和数字信号处理中,齐纳二极管可以用来限制信号的幅度,防止信号超出预定范围。例如,在音频放大器、数据采集系统中,它可以将输入信号箝位到安全的工作范围内,避免信号失真或设备损坏。 4. 温度补偿:某些应用中,齐纳二极管还可以与温度敏感元件配合使用,进行温度补偿。通过选择合适的齐纳电压和温度系数,可以在不同温度条件下保持电路性能的稳定性。 5. 电源管理:在便携式设备、嵌入式系统等低功耗应用中,齐纳二极管可以用于简化电源设计,提供精确的电压参考点,帮助实现高效的电源管理。 总之,BZT52C4V7LP-7齐纳二极管凭借其稳定的击穿电压特性,在各种电力电子、信号处理和保护电路中发挥着重要作用,确保了系统的可靠性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN稳压二极管 4.7V 250mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C4V7LP-7- |
数据手册 | |
产品型号 | BZT52C4V7LP-7 |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | 2-DFN1006(1.0x0.6) |
其它名称 | BZT52C4V7LP7 |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 250mW |
功率耗散 | 250 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 2-XFDFN |
封装/箱体 | DFN1006-2 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | - 1.65 mV/C |
系列 | BZT52C4V7 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
齐纳电压 | 4.7 V |