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  • 型号: BZT52C30-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C30-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C30-7-F价格参考。Diodes Inc.BZT52C30-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 30V 500mW ±7% Surface Mount SOD-123。您可以下载BZT52C30-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C30-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZT52C30-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其主要应用场景包括:

1. 电压调节:  
   BZT52C30-7-F 的齐纳电压为 30V(±5% 精度),适合用于低压电路中的电压稳定和调节。例如,在电源电路中,它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定,避免因负载变化或输入电压波动导致的不稳定。

2. 过压保护:  
   在电子设备中,该齐纳二极管可以用来防止瞬态过电压对敏感元件的损害。例如,在信号传输线路中,当出现高于设定值的电压时,齐纳二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后级电路。

3. 参考电压源:  
   由于其稳定的齐纳电压特性,BZT52C30-7-F 可用作精密参考电压源。例如,在模拟电路或 ADC/DAC 电路中,提供一个稳定的基准电压以提高测量精度。

4. 信号箝位:  
   在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号幅度。例如,在音频或视频信号电路中,BZT52C30-7-F 能够将信号电压限制在安全范围内,防止信号失真或损坏后续器件。

5. 浪涌抑制:  
   在电力电子设备中,该型号可用于抑制瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,它能够吸收由于电感性负载引起的反向电动势,保护电路免受冲击。

6. 电池保护:  
   在便携式设备或电池供电系统中,BZT52C30-7-F 可用于监测电池电压,并在电压超过设定值时触发保护机制,避免电池过充或损坏。

总之,BZT52C30-7-F 凭借其高可靠性、低功耗和精确的齐纳电压特性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,为各种电路提供电压稳定和保护功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 30V 500MW SOD123稳压二极管 500MW 30V

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C30-7-F-

数据手册

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产品型号

BZT52C30-7-F

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 21V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

BZT52C30-FDIDKR

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±7%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123

封装/箱体

SOD-123

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

80 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

30V

电压容差

5 %

电压温度系数

26.9 mV/C

系列

BZT52C30

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

80 欧姆

齐纳电压

30 V

齐纳电流

2 mA

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