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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C10T-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C10T-7价格参考。Diodes Inc.BZT52C10T-7封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 300mW ±6% Surface Mount SOD-523。您可以下载BZT52C10T-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C10T-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C10T-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 BZT52C10T-7 的齐纳电压为 10V(±5% 精度),非常适合用于电路中的电压稳压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在特定值,确保后级电路的正常工作。 2. 过压保护 在电子设备中,BZT52C10T-7 可用作过压保护元件。当输入电压超过设定的齐纳电压时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感器件免受过高电压的影响。 3. 信号电平调整 在信号处理电路中,该齐纳二极管可以用来限制信号的幅值。例如,在音频或通信电路中,它可以帮助防止信号过载,确保信号质量。 4. 参考电压源 BZT52C10T-7 提供稳定的齐纳电压,可以用作参考电压源。例如,在比较器或 ADC/DAC 电路中,它能够提供一个精确的基准电压,提高测量或转换的准确性。 5. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制中,齐纳二极管可用于抑制瞬态电压浪涌。BZT52C10T-7 能够快速响应并吸收短时间内的高电压脉冲,保护电路免受损坏。 6. 电池充电保护 在电池充电电路中,该齐纳二极管可以监控充电电压,防止电池过充。当电压达到设定值时,齐纳二极管会触发保护机制,切断充电回路。 特性总结: - 齐纳电压:10V(±5%) - 功率耗散:0.5W - 封装形式:SOD-123 - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C BZT52C10T-7 凭借其紧凑的封装和可靠的性能,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 10V 300MW SOD523稳压二极管 150MW 10V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C10T-7- |
数据手册 | |
产品型号 | BZT52C10T-7 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
产品目录页面 | |
产品种类 | Diode - Zener Single |
供应商器件封装 | SOD-523 |
其它名称 | BZT52C10T-7DICT |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±6% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
封装/箱体 | SOD-523 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 200 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 6.25 mV/C |
系列 | BZT52C10T |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
齐纳电压 | 10 V |
齐纳电流 | 5 mA |