ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZB84-B75,215
Datasheet下载- 型号： BZB84-B75,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B75,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B75,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B75,215封装/规格：二极管 - 齐纳 - 阵列， Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 75V 300mW ±2% TO-236AB (SOT23)。您可以下载BZB84-B75,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-B75,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZB84-B75,215 是一款齐纳二极管阵列，主要用于电压调节、过压保护和信号电平控制等应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 过压保护 - BZB84-B75,215 的齐纳电压为 75V（±5%），适合用于电路中的过压保护。例如，在电源输入端或敏感电子器件前使用该齐纳二极管阵列，可以有效限制电压不超过设定值，从而保护后级电路免受高电压冲击。 2. 电压基准源 - 该型号可以用作稳定的电压基准源，适用于需要精确电压参考的应用场景，例如比较器电路、稳压电路或 ADC/DAC 的参考电压生成。 3. 信号电平调整 - 在通信系统或传感器接口中，齐纳二极管阵列可用于将信号电平限制在特定范围内，确保信号不会超出后续电路的处理能力。 4. ESD（静电放电）保护 - 虽然 BZB84-B75,215 主要设计为齐纳二极管阵列，但其快速响应特性和高击穿电压也使其适合用于某些 ESD 保护场景，特别是在较高电压范围内的应用。 5. 功率管理 - 在开关电源或 DC-DC 转换器中，齐纳二极管阵列可用于辅助电路的电压调节，例如反馈回路中的电压限制或误差放大器的基准电压生成。 6. 汽车电子 - 由于 Nexperia 的产品通常符合严格的汽车级标准，BZB84-B75,215 可能应用于汽车电子系统中，如车载充电器、发动机控制单元（ECU）或其他需要高可靠性的电路。 7. 工业控制 - 在工业自动化设备中，齐纳二极管阵列可用于保护输入/输出端口免受过高电压的影响，同时提供稳定的电压参考。 总之，BZB84-B75,215 齐纳二极管阵列凭借其高精度和可靠性，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域，尤其是在需要电压调节和保护功能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 75V TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER DL 75V 300MW |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B75,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B75,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 52.5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934063363215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 255 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.9 V |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 73.4 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 255 欧姆 |
| 齐纳电压 | 75 V |
| 齐纳电流 | 2 mA |
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