ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZB84-B6V2,215
Datasheet下载- 型号： BZB84-B6V2,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B6V2,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B6V2,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B6V2,215封装/规格：二极管 - 齐纳 - 阵列， Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.2V 300mW ±2% TO-236AB (SOT23)。您可以下载BZB84-B6V2,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-B6V2,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-B6V2,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管阵列。这类器件主要用于电路保护和电压调节等应用场景，具体应用如下： 1. 过压保护：BZB84-B6V2,215 齐纳二极管阵列能够在电路中提供过压保护功能。当输入电压超过设定的阈值（例如 6.2V）时，齐纳二极管会导通并分流多余的电流，从而保护后续电路免受高电压的损害。这种特性使其非常适合用于电源输入端、传感器接口以及其他易受瞬态电压影响的电路。 2. 电压基准：该器件还可以用作稳定的电压参考源。在需要精确电压基准的应用中，如模拟电路、电源管理模块或信号调理电路中，BZB84-B6V2,215 可以提供一个稳定的参考电压，确保整个系统的性能稳定。 3. ESD 保护：齐纳二极管阵列还具有静电放电（ESD）保护功能。在现代电子设备中，ESD 是一个常见的问题，可能导致敏感元件损坏。通过将 BZB84-B6V2,215 集成到电路设计中，可以有效防止 ESD 引发的故障，提高产品的可靠性和耐用性。 4. 通信接口保护：在通信接口（如 USB、RS-232、I2C 等）中，外部环境中的瞬变电压可能会对内部电路造成损害。BZB84-B6V2,215 可以安装在这些接口处，确保数据传输的可靠性，并保护内部电路不受外界干扰。 5. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，BZB84-B6V2,215 常用于保护电池充电电路、摄像头模块、触摸屏控制器等关键组件，确保设备在各种使用环境下都能正常工作。 总之，BZB84-B6V2,215 齐纳二极管阵列凭借其高效的过压保护、电压基准和 ESD 保护功能，广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高可靠性和稳定性的场景下。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 6.2V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode6.2V 250mW 3Pin |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B6V2,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B6V2,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061712215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 2.05 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.2 V |
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