ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZB84-B33,215
Datasheet下载- 型号： BZB84-B33,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B33,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B33,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B33,215封装/规格：二极管 - 齐纳 - 阵列， Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 33V 300mW ±2% TO-236AB。您可以下载BZB84-B33,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-B33,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZB84-B33,215 是一款二极管 - 齐纳 - 阵列（Zener Diode Array），主要用于电压稳压、过压保护和信号箝位等应用场景。以下是该型号的具体应用场景： 1. 电压稳压 齐纳二极管阵列的主要功能之一是提供稳定的参考电压。BZB84-B33,215 可以在电路中用于生成精确的电压基准，适用于需要高精度电压源的场合，如电源电路中的稳压模块、模拟电路中的参考电压源等。 2. 过压保护 在许多电子设备中，防止过电压对敏感元件造成损坏是非常重要的。BZB84-B33,215 可以作为过压保护器件，当输入电压超过设定的阈值时，齐纳二极管会导通并分流多余的电流，从而保护下游电路免受过压冲击。这种应用常见于通信设备、工业控制系统和消费电子产品中。 3. 信号箝位 在高速信号传输中，信号电平可能会超出预期范围，导致数据传输错误或设备损坏。BZB84-B33,215 可以用于箝位信号电平，确保信号始终在安全范围内。它能够快速响应瞬态电压变化，防止信号失真或损坏接收端的电路。这种应用场景常见于数据通信接口、传感器信号处理和音频电路中。 4. 浪涌保护 电力系统或外部环境中的瞬态浪涌可能会对电子设备造成严重损害。BZB84-B33,215 可以用于吸收这些瞬态浪涌能量，保护电路中的其他元件。它能够在短时间内承受较大的电流冲击，并迅速恢复正常工作状态，适用于电源线、天线接口等易受浪涌影响的部位。 5. 温度补偿 某些应用中，温度变化可能会影响电路性能。BZB84-B33,215 具有良好的温度特性，可以在一定温度范围内保持稳定的电压输出，适用于需要温度补偿的精密电路，如温度传感器、温度控制电路等。 总之，BZB84-B33,215 齐纳二极管阵列凭借其高精度、快速响应和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要电压稳压、过压保护和信号箝位的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 33V TO236AB |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZB84-B33,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 23.1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934063353215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
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