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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B24,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B24,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B24,215封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 24V 300mW ±2% TO-236AB。您可以下载BZB84-B24,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B24,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.生产的BZB84-B24,215是一款二极管阵列,具体为齐纳二极管阵列。这种器件广泛应用于各种电路保护和电压稳压场景中,特别是在需要多通道电压钳位或多个齐纳二极管的应用中。 应用场景 1. 电源管理与稳压: BZB84-B24,215可以用于电源管理系统中,提供精确的电压参考点。它可以在电源输出端进行稳压,确保输出电压稳定在所需的范围内,适用于对电压精度要求较高的场合,如精密仪器、医疗设备等。 2. 过压保护(OVP): 该器件可以作为过压保护元件,防止瞬态电压过高对下游电路造成损害。例如,在通信设备、工业控制系统中,BZB84-B24,215可以快速响应并钳位过高的电压,保护敏感的集成电路和其他组件。 3. ESD保护: 静电放电(ESD)是电子设备常见的威胁之一。BZB84-B24,215能够有效地吸收静电放电脉冲,保护电路免受ESD损害。它特别适用于消费电子产品、手持设备等容易受到静电影响的产品。 4. 信号调理与保护: 在模拟信号处理电路中,BZB84-B24,215可以用作信号限幅器,确保输入信号不会超过预定的电压范围。这有助于防止信号失真或损坏后续的放大器或其他信号处理单元。 5. 多通道应用: 由于BZB84-B24,215是一个阵列器件,它可以同时为多个通道提供一致的电压钳位功能。这对于多通道传感器、数据采集系统等应用场景非常有用,能够简化电路设计并提高系统的可靠性和一致性。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,BZB84-B24,215可以用于保护车载电子设备免受电池电压波动、负载突降等异常情况的影响。它还能在汽车启动瞬间提供稳定的电压参考,确保电子控制单元(ECU)正常工作。 7. 消费电子: 消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,常常需要可靠的电压保护机制。BZB84-B24,215可以集成到这些产品的电源管理模块中,提供高效的电压稳压和保护功能。 总之,BZB84-B24,215凭借其高精度、快速响应和多通道特性,在各种电子设备中扮演着重要的角色,确保电路的安全、稳定和高效运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 24V TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER DL 24V 300MW |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B24,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BZB84-B24,215 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 16.8V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 934063349215 |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 24V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 18.4 mV/K |
配置 | Dual Common Anode |
阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |
齐纳电压 | 23.5 V |
齐纳电流 | 200 mA |