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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B20,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B20,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B20,215封装/规格:二极管 - 齐纳 - 阵列, Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 20V 300mW ±2% TO-236AB (SOT23)。您可以下载BZB84-B20,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B20,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-B20,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管阵列,属于 BZB84 系列。该型号具有以下主要参数:齐纳电压(Vz)为 20V,功耗为 200mW,封装形式通常为 SOD-323(小外形晶体管封装),适用于多种电子电路保护和信号调节场景。以下是其典型应用场景: 1. 过压保护 - BZB84-B20,215 可用于保护敏感电子设备免受瞬态过电压的影响,例如由静电放电(ESD)、电感负载开关或雷击引起的电压尖峰。 - 在电源输入端或信号接口处,齐纳二极管可以将电压钳位在 20V,防止过高电压损坏后级电路。 2. 电压基准源 - 齐纳二极管可以用作稳定的电压基准源,为模拟电路、比较器或其他需要精确电压参考的电路提供基准电压。 - 在低功耗应用中,BZB84-B20,215 的 20V 齐纳电压特性非常适合用作参考点。 3. 信号电平调整 - 在通信系统或传感器接口中,齐纳二极管可用于限制输入信号的幅值,确保信号电平符合后续电路的要求。 - 例如,在音频或射频电路中,它可以用来防止信号过载或失真。 4. 电源稳压 - 虽然齐纳二极管不是高效的稳压器,但在简单电路中,BZB84-B20,215 可以与电阻配合使用,为低电流负载提供稳定的 20V 输出电压。 - 这种应用常见于小型辅助电源或测试电路中。 5. 汽车电子中的保护电路 - 在汽车电子系统中,齐纳二极管阵列常用于保护 CAN 总线、LIN 总线或其他信号线路免受电压波动或瞬态干扰的影响。 - BZB84-B20,215 的高可靠性使其适合恶劣环境下的应用。 6. 消费电子产品中的保护设计 - 在手机充电器、USB 接口或其他便携式设备中,齐纳二极管可以防止输入电压过高,从而保护内部芯片和电路。 总结 BZB84-B20,215 的主要应用场景集中在过压保护、电压基准、信号调节和简单电源稳压等领域。由于其 20V 的齐纳电压和小巧的封装形式,该器件特别适合对空间和功耗要求较高的应用场合,如消费电子、汽车电子和工业控制等。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER DUAL 20V TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER DL 20V 300MW |
产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B20,215- |
数据手册 | |
产品型号 | BZB84-B20,215 |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 14V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-11118-6 |
功率-最大值 | 300mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 55 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 20V |
电压容差 | 2 % |
电压温度系数 | 14.4 mV/K |
配置 | Dual Common Anode |
阻抗(最大值)(Zzt) | 55 欧姆 |
齐纳电压 | 19.6 V |
齐纳电流 | 200 mA |