ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZB784-C3V9,115
Datasheet下载- 型号： BZB784-C3V9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB784-C3V9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB784-C3V9,115价格参考。NXP SemiconductorsBZB784-C3V9,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 阵列， Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 3.9V 180mW ±5% SC-70。您可以下载BZB784-C3V9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB784-C3V9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZB784-C3V9,115 是一款齐纳二极管阵列，广泛应用于各种电路保护和稳压场景。这款器件的主要应用场景包括： 1. 电源稳压：BZB784-C3V9,115 可用于电源电路中，提供稳定的参考电压。其齐纳击穿电压为 3.9V，能够确保输出电压在一定范围内保持恒定，适用于对电压稳定性要求较高的场合，如传感器供电、低功耗设备等。 2. 过压保护：该器件能够在电路中起到过压保护的作用。当输入电压超过设定的齐纳电压时，齐纳二极管会导通，将多余的电压泄放掉，从而保护下游电路免受过压损坏。例如，在 USB 接口、通信端口等易受外部电压冲击的地方，可以使用该器件进行保护。 3. 信号箝位：在模拟信号处理电路中，BZB784-C3V9,115 可以用于箝位信号电平，防止信号超出允许范围。这对于音频放大器、数据采集系统等应用非常重要，可以避免信号失真或损坏敏感元件。 4. ESD 保护：静电放电（ESD）是电子设备常见的威胁之一。BZB784-C3V9,115 的快速响应特性和低电容特性使其非常适合用于 ESD 保护，尤其是在手持设备、消费电子产品中，能够有效防止静电对电路的损害。 5. 温度补偿：某些精密电路需要在不同温度下保持稳定的性能。BZB784-C3V9,115 具有较好的温度稳定性，可以在温度变化较大的环境中提供稳定的电压参考，适用于工业控制、汽车电子等领域。 6. 多路保护：由于其阵列结构，BZB784-C3V9,115 可以同时保护多个通道，简化了电路设计并减少了元件数量。例如，在多通道数据传输、多路电源管理等应用中，该器件能够提供高效且紧凑的保护方案。 总之，BZB784-C3V9,115 齐纳二极管阵列凭借其高可靠性、快速响应和多通道保护能力，适用于多种电力和信号处理场景，特别是在需要稳定电压和过压保护的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.9V SOT323 |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZB784-C3V9,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934056301115 |
| 功率-最大值 | 180mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 90 欧姆 |
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