ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 阵列 > BZB784-C11,115
Datasheet下载- 型号： BZB784-C11,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB784-C11,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB784-C11,115价格参考。NXP SemiconductorsBZB784-C11,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 阵列， Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 11V 180mW ±5% SC-70。您可以下载BZB784-C11,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB784-C11,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZB784-C11,115 是一款二极管 - 齐纳 - 阵列，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 BZB784-C11,115 的齐纳二极管阵列可以用于提供稳定的参考电压。它能够在电源电压波动时保持输出电压的稳定性，适用于需要精确电压控制的电路中。例如，在模拟电路、传感器供电和电源管理模块中，它可以确保关键元件在稳定的电压下工作。 2. 过压保护 该器件可以作为过压保护元件，防止电路中的瞬态高压对敏感电子元件造成损坏。通过将齐纳二极管反向连接到电源轨或信号线，当电压超过设定值时，齐纳二极管会导通并分流多余的电流，从而保护下游电路。 3. ESD（静电放电）保护 在现代电子产品中，静电放电是一个常见的问题。BZB784-C11,115 可以用于保护电路免受静电放电的影响。它能够快速响应并吸收静电能量，避免敏感元件如微控制器、通信接口等受到损害。 4. 信号箝位 在高速信号传输中，齐纳二极管阵列可以用于信号箝位，限制信号的幅值范围。这有助于防止信号超出预定范围，减少失真和噪声。例如，在数据通信、音频处理和其他高速信号处理应用中，它可以确保信号质量。 5. 温度补偿 某些应用中，齐纳二极管的温度特性需要进行补偿。BZB784-C11,115 具有良好的温度稳定性，可以在温度变化较大的环境中保持稳定的性能，适用于工业控制、汽车电子等领域。 6. 多通道保护 由于是齐纳二极管阵列，BZB784-C11,115 可以为多个通道提供同时保护。例如，在多通道模拟输入或输出电路中，它可以为每个通道提供独立的过压保护，简化设计并提高可靠性。 总结 BZB784-C11,115 主要应用于需要稳定电压、过压保护、ESD保护、信号箝位以及多通道保护的场合。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备等领域，确保电路在各种复杂环境下稳定可靠地工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 11V SOT323稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB784-C11,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB784-C11,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934056312115 |
| 功率-最大值 | 180mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 6.9 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
| 零件号别名 | BZB784-C11 T/R |
| 齐纳电压 | 11 V |
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