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  • 型号: BUZ31L H
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ31L H由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ31L H价格参考。InfineonBUZ31L H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3。您可以下载BUZ31L H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUZ31L H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3MOSFET N-Channel 200V Transistor

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.5 A

Id-连续漏极电流

13.5 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BUZ31L HSIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Buz31L+H_Rev+2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432219ca8f012230650a58450e

产品型号

BUZ31L H

Pd-PowerDissipation

95 W

Pd-功率耗散

95 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

80 nS

下降时间

65 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 7A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

BUZ31LH
BUZ31LHXKSA1
SP000682996

典型关闭延迟时间

210 nS

功率-最大值

95W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13.5A (Tc)

系列

BUZ31

配置

Single

零件号别名

BUZ31LHXKSA1 SP000682996

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