ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BUZ31 H3045A
Datasheet下载- 型号： BUZ31 H3045A
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BUZ31 H3045A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ31 H3045A由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ31 H3045A价格参考。InfineonBUZ31 H3045A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载BUZ31 H3045A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUZ31 H3045A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的BUZ31 H3045A是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于FET（场效应晶体管）类别。这款器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效、可靠电力转换和控制的场合。 1. 电源管理 BUZ31 H3045A常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）等电源管理系统中。它能够高效地进行电流切换，减少能量损耗，提高电源转换效率。其低导通电阻特性有助于降低功耗，特别是在高频开关应用中表现优异。 2. 电机驱动 在电机控制系统中，BUZ31 H3045A可以作为功率级的一部分，用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。通过精确控制电流的通断，它可以实现对电机速度和方向的精准调节，广泛应用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域。 3. 逆变器与不间断电源（UPS） 该器件也适用于逆变器和不间断电源系统。在这些应用中，BUZ31 H3045A负责将直流电转换为交流电，确保输出电压的稳定性和可靠性。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高系统的整体效率，延长电池寿命。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，BUZ31 H3045A可用于电池充放电保护电路，防止过充、过放和短路等问题。它能够迅速响应异常情况，切断电流路径，保护电池组的安全，特别适合电动汽车、储能系统等大容量电池应用。 5. 消费电子设备 BUZ31 H3045A还常见于各种消费电子产品中，如智能手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑电源等。它的小型化封装和高集成度使其成为紧凑型设计的理想选择，同时具备良好的散热性能，确保长时间稳定运行。 总结 BUZ31 H3045A凭借其出色的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理和消费电子等多个领域有着广泛的应用。其高效的开关特性和低损耗特性使其成为众多工程师青睐的选择，适用于需要高性能电力控制的各类应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263MOSFET N-Channel 200V Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 14.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BUZ31 H3045ASIPMOS® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BUZ31+H3045+A+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d0125971c90292922 |
| 产品型号 | BUZ31 H3045A |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 95 W |
| Pd-功率耗散 | 95 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 nS |
| 下降时间 | 60 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | BUZ31 H3045ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 150 nS |
| 功率-最大值 | 95W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 14.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.5A （Tc） |
| 系列 | BUZ31 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUZ31H3045AATMA1 SP000736084 |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
None
None
None
None
None
None
None
None
Rev. 2.1 page 9 2009-11-09
Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2009 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the device, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind, including without limitation, warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. Information For further information on technology, delivery terms and conditions and prices, please contact the nearest Infineon Technologies Office (www.infineon.com). Warnings Due to technical requirements, components may contain dangerous substances. For information on the types in question, please contact the nearest Infineon Technologies Office. Infineon Technologies components may be used in life-support devices or systems only with the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system or to affect the safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body or to support and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user or other persons may be endangered. Rev. 2.1 page 10 2009-11-09