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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ31 E3045A由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ31 E3045A价格参考。InfineonBUZ31 E3045A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载BUZ31 E3045A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUZ31 E3045A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Buz31+Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b210c447a |
产品图片 | |
产品型号 | BUZ31 E3045A |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1120pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 9A,5V |
供应商器件封装 | P-TO263-3 |
其它名称 | BUZ31E3045AT |
功率-最大值 | 95W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14.5A (Tc) |