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  • 型号: BUZ31 E3045A
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ31 E3045A由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ31 E3045A价格参考。InfineonBUZ31 E3045A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载BUZ31 E3045A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUZ31 E3045A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Buz31+Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b210c447a

产品图片

产品型号

BUZ31 E3045A

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

SIPMOS®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1120pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 9A,5V

供应商器件封装

P-TO263-3

其它名称

BUZ31E3045AT
SP000011343

功率-最大值

95W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14.5A (Tc)

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