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BUL742C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL742C由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL742C价格参考¥2.23-¥2.23。STMicroelectronicsBUL742C封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 4A 70W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL742C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUL742C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR POWER NPN TO-220两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BUL742C- |
数据手册 | |
产品型号 | BUL742C |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 1A,3.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 25 @ 800mA,3V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-7208-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF69123?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 12 V |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 70 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 250µA |
直流电流增益hFE最大值 | 100 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 48 |
系列 | BUL742C |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 1.05 kV |
集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | - |