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BUL45D2G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL45D2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL45D2G价格参考。ON SemiconductorBUL45D2G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 5A 13MHz 75W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL45D2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUL45D2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 400V 5A TO-220AB两极晶体管 - BJT 5A 400V 75W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BUL45D2G- |
数据手册 | |
产品型号 | BUL45D2G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 400mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 2A,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | BUL45D2GOS |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 12 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 13 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 75 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流电流增益hFE最大值 | 34 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 22 |
系列 | BUL45D2 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.46 V |
集电极连续电流 | 5 A |
频率-跃迁 | 13MHz |