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  • 型号: BUL416T
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUL416T由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL416T价格参考。STMicroelectronicsBUL416T封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 800V 6A 110W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL416T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUL416T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 800V TO-220两极晶体管 - BJT NPN HI-VOLT FAST SW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BUL416T-

数据手册

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产品型号

BUL416T

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 1.33A,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

18 @ 700mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-10558-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF246734?referrer=70071840

功率-最大值

110W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

110 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

9 A

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

800V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

250µA

直流电流增益hFE最大值

32

直流集电极/BaseGainhfeMin

18

系列

BUL416

集电极—发射极最大电压VCEO

800 V

集电极连续电流

6 A

频率-跃迁

-

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