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  • 型号: BUL39D
  • 制造商: STMicroelectronics
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BUL39D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUL39D由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL39D价格参考。STMicroelectronicsBUL39D封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 450V 4A 70W 通孔 TO-220AB。您可以下载BUL39D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUL39D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)生产的BUL39D是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号通常应用于以下场景:

1. 开关电路:BUL39D可用作电子开关,控制其他电路元件的通断状态。其高增益和快速响应特性使其适合用于需要高效切换的应用,例如继电器驱动或LED控制。

2. 信号放大:作为一款BJT,BUL39D能够对微弱信号进行放大,适用于音频设备、传感器信号处理等场景。它能够在低噪声条件下提供稳定的增益性能。

3. 电源管理:在某些电源管理系统中,BUL39D可以用作电流调节器或电压调整器,帮助稳定输出电压或限制电流,确保下游电路的安全运行。

4. 电机控制:对于小型直流电机,BUL39D可以用来实现速度控制或方向切换。通过调整输入信号,晶体管可以调节电机的工作状态。

5. 脉宽调制(PWM)应用:在需要精确控制功率输出的场合,如LED亮度调节或加热元件控制,BUL39D可以通过PWM信号实现高效的功率管理。

6. 保护电路:利用其过流保护功能,BUL39D可设计到保护电路中,防止因过载或其他异常情况导致的设备损坏。

这些应用场景得益于BUL39D的优异电气参数,如较高的集电极-发射极电压(Vce)、持续电流能力以及良好的热稳定性。同时,其紧凑的封装形式也便于集成到各种电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR POWER NPN TO-220两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BUL39D-

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产品型号

BUL39D

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.1V @ 500mA,2.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10 @ 10mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7203-5
BUL39D-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF62896?referrer=70071840

功率-最大值

70W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

9 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

70 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

450V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

4

系列

BUL39D

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

450 V

集电极—基极电压VCBO

800 V

集电极—射极饱和电压

1.1 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

-

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