【晶体管 - FET，MOSFET - 单_BUK9Y58-75B,115】封装/厂家_BUK9Y58-75B,115中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BUK9Y58-75B,115

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BUK9Y58-75B,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y58-75B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y58-75B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y58-75B,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 75V 20.73A（Tc） 60.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y58-75B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y58-75B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y58-75B,115 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。它具有多种应用场景，尤其适用于需要高效功率转换和开关操作的电子设备中。以下是该型号的一些主要应用场景：

 1. 电源管理
BUK9Y58-75B,115 常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在高电流应用中能够减少功耗，提高效率。此外，该器件的快速开关速度有助于降低开关损耗，提升电源系统的整体性能。

 2. 电机控制
在电机驱动电路中，MOSFET 作为开关元件，用于控制电机的启动、停止和调速。BUK9Y58-75B,115 的高耐压（75V）和大电流承载能力使其适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等的驱动电路中，特别适合于电动工具、家电和工业自动化设备中的电机控制。

 3. 电池管理系统
在电池管理系统（BMS）中，MOSFET 用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。BUK9Y58-75B,115 可以作为电池组中的保护开关，确保电池的安全运行。其低导通电阻也有助于减少电池充放电过程中的能量损失。

 4. 汽车电子
在汽车电子系统中，MOSFET 广泛应用于车载充电器、LED 照明、电动助力转向（EPS）等场景。BUK9Y58-75B,115 的高可靠性和宽温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在恶劣的汽车环境中稳定工作，满足汽车电子对耐用性和安全性的要求。

 5. 消费电子产品
在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，MOSFET 用于电源管理模块、负载开关等。BUK9Y58-75B,115 的小封装尺寸和高效性能使其成为这些便携式设备的理想选择，能够在有限的空间内提供可靠的电力传输和控制功能。

 总结
BUK9Y58-75B,115 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机控制、电池管理、汽车电子以及消费电子产品等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，使其成为高效、紧凑设计的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 75V 20.73A LFPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BUK9Y58-75B,115
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.15V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1137pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10.7nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	53 毫欧 @ 10A，10V
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-5529-6
功率-最大值	60.4W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20.73A （Tc）