ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BUK9Y41-80E,115
Datasheet下载- 型号： BUK9Y41-80E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y41-80E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y41-80E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y41-80E,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 24A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y41-80E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y41-80E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y41-80E,115 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。这款 MOSFET 具有以下特点和应用场景： 主要特性： 1. 低导通电阻：该器件具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 高开关速度：BUK9Y41-80E,115 的开关速度快，适合高频应用，能够快速响应开关信号，减少开关损耗。 3. 耐压能力：其最大漏源电压 (Vds) 为 80V，适用于中等电压范围的应用。 4. 电流承载能力：连续漏极电流 (Id) 达到 67A，峰值脉冲漏极电流 (Ibm) 可达 170A，适合大电流应用。 5. 温度范围广：工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适应各种恶劣环境。 应用场景： 1. 电源管理：由于其低导通电阻和高电流承载能力，BUK9Y41-80E,115 广泛应用于电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、电源适配器、电池充电器等，以实现高效的电力转换。 2. 电机驱动：在电机控制领域，这款 MOSFET 可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机，特别适合需要高效率和快速响应的应用。 3. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器，BUK9Y41-80E,115 可用于开关负载，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 汽车电子：在汽车电子系统中，如电动助力转向 (EPS)、制动系统、空调系统等，这款 MOSFET 能够承受较大的电流波动和高温环境，提供可靠的性能。 5. 消费电子产品：在消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等的电源管理模块中，BUK9Y41-80E,115 可以帮助实现高效的小型化设计。 总之，BUK9Y41-80E,115 凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，成为许多高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 24A LFPAKMOSFET N-channel 80 V 45 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y41-80E,115TrenchMOS™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9Y41-80E,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 64 W |
| Pd-功率耗散 | 64 W |
| Qg-GateCharge | 11.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 11.2 ns |
| 下降时间 | 10.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10980-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 16.1 ns |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 配置 | Triple Common Source |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
