ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > BUK9Y3R0-40E,115
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BUK9Y3R0-40E,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y3R0-40E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y3R0-40E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y3R0-40E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 194W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK9Y3R0-40E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9Y3R0-40E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y3R0-40E,115 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体应用场景如下: 1. 电源管理 该器件广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源设计中表现出色,能够减少功率损耗,提高整体能效。 2. 电机驱动 BUK9Y3R0-40E,115 适用于小型电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机等。它可以在高频下快速切换,确保电机运行平稳且高效,同时减少电磁干扰(EMI)。 3. 消费电子设备 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中,该MOSFET用于电池充电管理、负载开关和电源路径控制。它的紧凑封装(SOT227B)适合小型化设计,有助于节省空间并提高集成度。 4. 工业自动化 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器和机器人系统,这款MOSFET可以作为信号放大或开关元件使用,实现精确的电流控制和快速响应。 5. 汽车电子 尽管该器件不是专门为汽车级应用设计的,但在一些非关键车载电子模块中(如车窗升降器、座椅调节器等),它可以提供可靠的开关功能,并具备良好的温度稳定性和抗振能力。 6. LED照明 在LED驱动电路中,BUK9Y3R0-40E,115 可以用作恒流源或调光控制器的关键组件,确保LED灯亮度均匀且节能。 总之,BUK9Y3R0-40E,115 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域都有广泛应用,特别是在需要高效、快速切换和紧凑设计的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAKMOSFET N-channel 40 V 3.0 mo FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y3R0-40E,115TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK9Y3R0-40E,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 194 W |
Pd-功率耗散 | 194 W |
Qg-GateCharge | 35.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 35.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.47 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.47 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 44 ns |
下降时间 | 34 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5962pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-10979-6 |
典型关闭延迟时间 | 53 ns |
功率-最大值 | 194W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK56-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
配置 | Triple Common Source |