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  • 型号: BUK9Y38-100E,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y38-100E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y38-100E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y38-100E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 30A(Tc) 94.9W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK9Y38-100E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9Y38-100E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAKMOSFET N-channel 100 V 38 mo FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y38-100E,115TrenchMOS™

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产品型号

BUK9Y38-100E,115

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

94.9 W

Pd-功率耗散

94.9 W

Qg-GateCharge

21.6 nC

Qg-栅极电荷

21.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

31.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

31.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

18 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2541pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

38 毫欧 @ 5A, 5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-10978-6

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

94.9W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK56-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

配置

Triple Common Source

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