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Datasheet下载- 型号： BUK9Y38-100E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y38-100E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y38-100E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y38-100E,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK9Y38-100E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y38-100E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9Y38-100E,115 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：BUK9Y38-100E,115 常用于开关电源中的功率级，作为开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够在高频下高效工作，减少能量损耗。 - DC-DC转换器：在降压、升压或升降压转换器中，该MOSFET可以作为主开关或同步整流器，提供高效的电压调节。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机：在这些电机的驱动电路中，MOSFET用于控制电流流向电机绕组。BUK9Y38-100E,115 的低导通电阻有助于降低发热，提高电机效率。 - 伺服系统：在需要精确控制的伺服系统中，该MOSFET可用于实现快速响应和高精度的位置控制。 3. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可用于车载充电器的功率转换部分，确保高效充电。 - 电动助力转向 (EPS)：在EPS系统中，MOSFET用于驱动电机，帮助车辆实现更轻便的转向操作。 - LED照明：在汽车LED大灯和其他照明系统中，MOSFET用于调节电流，确保亮度稳定。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在工业控制系统中，MOSFET用于驱动继电器、传感器或其他负载，确保系统的可靠性和稳定性。 - 变频器 (VFD)：在变频器中，MOSFET用于调节电机的速度和扭矩，适用于各种工业机械设备。 5. 消费电子产品 - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑的电源适配器中，该MOSFET用于实现高效的电源转换，延长电池寿命。 - 智能家居设备：如智能插座、智能灯具等设备中，MOSFET用于控制电源通断，实现远程控制功能。 总之，BUK9Y38-100E,115 凭借其出色的性能和可靠性，在电力电子领域有着广泛的应用，特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAKMOSFET N-channel 100 V 38 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y38-100E,115TrenchMOS™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9Y38-100E,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 94.9 W |
| Pd-功率耗散 | 94.9 W |
| Qg-GateCharge | 21.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2541pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 5A， 5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10978-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 94.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 配置 | Triple Common Source |
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