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BUK9Y12-55B,115产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BUK9Y12-55B,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5525-6 |
功率-最大值 | 106W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 61.8A (Tc) |