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  • 型号: BUK9E3R7-60E,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9E3R7-60E,127产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

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产品型号

BUK9E3R7-60E,127

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.4 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

TO-262-3

其它名称

568-9874-5
934066631127
BUK9E3R760E127

功率-最大值

293W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Ta)

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