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  • 型号: BUK9616-75B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9616-75B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9616-75B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9616-75B,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK9616-75B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9616-75B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 67A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

67 A

Id-连续漏极电流

67 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9616-75B,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK9616-75B,118

Pd-PowerDissipation

157 W

Pd-功率耗散

157 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

102 ns

下降时间

57 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4034pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-5864-6

典型关闭延迟时间

101 ns

功率-最大值

157W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

67A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK9616-75B

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