ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > BUK9616-75B,118
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9616-75B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9616-75B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9616-75B,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 67A(Tc) 157W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK9616-75B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9616-75B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK9616-75B,118 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类型中的功率 MOSFET。这款器件具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用。 主要应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):BUK9616-75B,118 适合用于开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。 - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可以作为同步整流器或主开关,提供高效的能量转换,特别适用于需要高效率和小尺寸设计的应用。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC):该 MOSFET 可用于 BLDC 电机的驱动电路中,提供高效的电流控制,确保电机运行平稳且高效。 - 步进电机驱动:在步进电机驱动器中,BUK9616-75B,118 可以帮助实现精确的电流控制,提高电机的响应速度和定位精度。 3. 电池管理系统 (BMS): - 电池保护电路:在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于电池充放电保护电路,防止过充、过放和短路等情况的发生,确保电池的安全性和使用寿命。 4. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在笔记本电脑适配器中,该 MOSFET 可以用于功率转换部分,提供稳定的电压输出,同时保持高效能和小体积。 - 智能手机和平板电脑充电器:在这些设备的充电器中,BUK9616-75B,118 可以帮助实现快速充电功能,提高充电效率并减少发热。 5. 工业应用: - 逆变器和变频器:在工业逆变器和变频器中,该 MOSFET 可以用于功率级电路,提供高效的功率转换和调制功能,适用于各种工业自动化设备。 总之,BUK9616-75B,118 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能、高可靠性和紧凑设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 75V 67A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 67 A |
Id-连续漏极电流 | 67 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9616-75B,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK9616-75B,118 |
Pd-PowerDissipation | 157 W |
Pd-功率耗散 | 157 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
上升时间 | 102 ns |
下降时间 | 57 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4034pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-5864-6 |
典型关闭延迟时间 | 101 ns |
功率-最大值 | 157W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | SOT-404-3 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 67A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | /T3 BUK9616-75B |