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  • 型号: BUK9606-75B,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9606-75B,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9606-75B,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9606-75B,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9606-75B,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK9606-75B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9606-75B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAKMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

153 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9606-75B,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK9606-75B,118

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

144 ns

下降时间

116 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11693pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-6585-6

典型关闭延迟时间

273 ns

功率-最大值

300W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

75 V

漏极连续电流

153 A

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK9606-75B

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