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  • 型号: BUK7Y4R8-60EX
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK7Y4R8-60EX产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y4R8-60EX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y4R8-60EX价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y4R8-60EX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK7Y4R8-60EX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7Y4R8-60EX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7Y4R8-60EX 是一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。它广泛应用于各种电子设备和系统中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的电路设计中。

 主要应用场景包括:

1. 电源管理:
   - 开关电源 (SMPS):BUK7Y4R8-60EX 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等开关电源应用。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。
   - 电池管理系统 (BMS):用于锂电池保护电路中,作为充放电控制开关,确保电池的安全和稳定运行。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机 (BLDC) 和 步进电机:在电机驱动电路中,MOSFET 用作功率级开关,控制电机的转速和方向。该器件的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动的理想选择。

3. 消费电子产品:
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围接口的开关控制,如 USB 端口的电流限制和保护。
   - 笔记本电脑和台式机:在电源供应模块和主板上,用于电压调节和负载切换。

4. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器 (PLC) 和 工业传感器:MOSFET 用于信号隔离和大电流驱动,确保系统的稳定性和安全性。
   - 伺服驱动器:用于精确控制电动机的速度和位置,提供高效能和响应速度。

5. 汽车电子:
   - 车身控制系统:如车窗升降器、座椅调节、雨刮器等,MOSFET 作为执行机构的驱动元件。
   - 车载充电系统:用于电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器中,实现高效的能量转换。

6. 通信设备:
   - 基站和路由器:用于电源管理和信号处理,确保通信设备的稳定运行和高效能。

总之,BUK7Y4R8-60EX 凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种高性能要求的电子应用,特别是在电源管理和电机驱动领域表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAKMOSFET N-channel 60 V 4.8 mo FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7Y4R8-60EXTrenchMOS™

mouser_ship_limit

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产品型号

BUK7Y4R8-60EX

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

238 W

Pd-功率耗散

238 W

Qg-GateCharge

73.1 nC

Qg-栅极电荷

73.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

27 ns

下降时间

31 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5520pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

73.1nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-10967-1

典型关闭延迟时间

57 ns

功率-最大值

238W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK56-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

配置

Triple Common Source

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