【晶体管 - FET，MOSFET - 单_BUK7Y4R8-60EX】封装/厂家_BUK7Y4R8-60EX中文资料_价格

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型号： BUK7Y4R8-60EX
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BUK7Y4R8-60EX产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y4R8-60EX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y4R8-60EX价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y4R8-60EX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载BUK7Y4R8-60EX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7Y4R8-60EX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAKMOSFET N-channel 60 V 4.8 mo FET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7Y4R8-60EXTrenchMOS™
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BUK7Y4R8-60EX
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	238 W
Pd-功率耗散	238 W
Qg-GateCharge	73.1 nC
Qg-栅极电荷	73.1 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	27 ns
下降时间	31 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	73.1nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.8 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-10967-1
典型关闭延迟时间	57 ns
功率-最大值	238W
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
封装/箱体	LFPAK56-4
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tc）
配置	Triple Common Source