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  • 型号: BUK7K6R8-40E,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BUK7K6R8-40E,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7K6R8-40E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7K6R8-40E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7K6R8-40E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 40A 64W 表面贴装 LFPAK56D。您可以下载BUK7K6R8-40E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7K6R8-40E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品型号

BUK7K6R8-40E,115

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1947pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.8 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

LFPAK56D

其它名称

568-9898-6

功率-最大值

64W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1205, 8-LFPAK56

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A

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