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  • 型号: BUK7909-75AIE,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7909-75AIE,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7909-75AIE,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7909-75AIE,127封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 272W(Tc) TO-220-5。您可以下载BUK7909-75AIE,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7909-75AIE,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 75V 75A TO220ABMOSFET TRENCHPLUS MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

电流感测

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7909-75AIE,127TrenchMOS™

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产品型号

BUK7909-75AIE,127

Pd-PowerDissipation

272 W

Pd-功率耗散

272 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

108 ns

下降时间

100 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4700pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

121nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-5

其它名称

568-9742-5
934057279127
BUK7909-75AIE
BUK7909-75AIE,127-ND
BUK7909-75AIE-ND

典型关闭延迟时间

185 ns

功率-最大值

272W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-5

封装/箱体

TO-220-5

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BUK7909-75AIE

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